性能指标：二次电子像分辨率：1.2nm@1kV, 0.6nm@15kV。背散射电子像分辨率：1.8nm@15kV。加速电压: 200V～30kV，任意连续可调 束流大小: 2pA-200nA 五种观察影像模式: 分辨率模式；景深模式；视野模式；大视野模式；Channeling模式，方便寻找样品位置 电镜检测器: 高真空二次电子检测器(SE)、极靴内二次电子检测器(In-Beam)、极靴内背散射电子检测器(In-Beam BSE)、低能背散射电子探测器(LE-BSE)、样品室红外CCD探测器能谱仪：探头面积80 mm2 SDD，能量分辨率 125eV（Mn Ka），元素检测范围 Be4-Pu94 EBSD：花样平均角度偏差MAD≤0.5，EBSD在线标定解析速度：640点/秒(8×8 binning)

主要应用：主要用于金属、非金属、有色金属、陶瓷等材料的形貌观察、成分分析、物相分析等

仪器说明：MIRA3 LHM型扫描电子显微镜具有超高分辨率，该仪器能实现对各种固态样品表面形貌的观察，获得表面形貌的二次电子像、背散射电子像。MIRA3 LHM扫描电镜配合超大面积SDD能谱仪和快速型电子背散射衍射EBSD，可应用于各种极具挑战性的材料的形貌观察、元素组成和分布测试、结构和取向分析。如金属、纳米颗粒和粉体、纳米管和纳米线等各种纳米材料、多孔物质(如硅、羟基磷灰石)、 塑料电子器件、玻璃基体材料、有机材料、高分子物质、金刚石薄膜、半导体截面、晶体材料、生物样品、各类薄膜材料和截面等。