400-778-0551

场发射透射电子显微镜

可对金属、矿物、半导体、陶瓷、生物、高分子、复合材料、催化剂等材料进行微观形貌、晶体结构、晶体缺点、晶粒晶向及成份分析。

场发射透射电子显微镜

性能指标加速电压: 200 KV;电子枪:肖特基热场发射超亮电子枪; TEM点分辨率:0.25 nm; TEM信息分辨率: 0.12 nm; STEM分辨率: 0.16 nm;样品倾斜角度X/Y:±30°;能谱能量分辨率:136 ev; 元素检测范围:B~U元素。 


主要应用:1. 对各种材料内部微结构进行观察; 2. 粉末、纳米颗粒形貌和粒径观察; 3. 选区电子衍射和晶体结构分析; 4. 金属、陶瓷、半导体、塑料、等显微结构分析; 5. 配合能谱仪可以对样品元素做面分布分析,以及各种元素进行定性和半定量微区分析,元素检测范围:B~U元素; 6. 利用三维样品杆可以实现TEM、STEM和EDS三维重构。 


样品要求:1. 透射电镜不能直接观察所有含有铁钴镍元素的样品,请做如下处理,否则不予以观察:粉末样品请包埋切片,块体样品请FIB切片; 2. 透射电镜能够观察200nm以下的样品; 3. 对于粉末和液体样品,要求样品均匀分散在支持膜上并且干燥,能够区分正反面; 4. 对于块体样品,要求样品大小为直径3mm的圆,厚度小于200nm; 5. 高分辨样品要求厚度小于10nm。 


仪器说明:1. FEI Talos F200X 场发射透射电镜的电子枪为肖特基热场发射超亮电子枪,STEM 分辨率可以达到0.16nm。 2. 配备4个SDD探头的超级能谱集成到了透射电镜的极靴里面,对称地放在样品的上方,可以高效率探测到微量元素,以及材料成分在一维,二维,甚至三维空间的分布信息。 3. Talos F200X 还安装了STEM明场和暗场探头,可以同时得到STEM的明场像和暗场像以及髙角环形暗场像(HAADF)。 

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